在半導(dǎo)體、精密光學(xué)等制造領(lǐng)域，表面測(cè)量常面臨 “精度" 與 “范圍" 的兩難 —— 白光干涉（CSI）能掃數(shù)百微米卻難及納米級(jí)精度，相移干涉（PSI）達(dá)亞納米精度卻量程受限。而 Sensofar 的 ePSI 技術(shù)，用創(chuàng)新融合破解了這一難題。

ePSI 的核心，是讓 CSI 與 PSI “強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手"：依托 CSI 實(shí)現(xiàn)數(shù)百微米的寬范圍掃描，覆蓋宏觀輪廓到中觀結(jié)構(gòu)；借助 PSI 達(dá)成 0.1nm 的亞納米級(jí)分辨率，精準(zhǔn)捕捉微小劃痕、薄膜厚度差異。無(wú)需頻繁換設(shè)備、調(diào)參數(shù)，一次測(cè)量就能兼顧全局與細(xì)節(jié)。

這一技術(shù)已在關(guān)鍵領(lǐng)域落地：半導(dǎo)體行業(yè)用它檢測(cè)晶圓，先掃全局定位翹曲，再精細(xì)測(cè)量納米級(jí)電路高度差，助力良率提升；精密光學(xué)領(lǐng)域靠它校準(zhǔn)鏡頭，一次性搞定透鏡曲率與納米級(jí)光潔度檢測(cè)；新材料測(cè)試中，它能無(wú)損測(cè)量納米薄膜厚度，誤差控制在 0.2nm 內(nèi)。

從解決傳統(tǒng)技術(shù)痛點(diǎn)，到為制造提效賦能，ePSI 正成為高精度表面檢測(cè)的 “標(biāo)配選擇"，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)再升級(jí)。