PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)

澤攸MEMS-STM-TEM多場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)，原位透射電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，使研究者可以在透射電子顯微鏡中構(gòu)建一個(gè)可控的多場(chǎng)環(huán)境（包括力、熱、光、電等）

澤攸MEMS-STM-TEM多場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)，該產(chǎn)品是原位透射電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，使研究者可以在透射電子顯微鏡中構(gòu)建一個(gè)可控的多場(chǎng)環(huán)境（包括力、熱、光、電等），從而對(duì)材料或者器件等樣品實(shí)現(xiàn)多重激勵(lì)下的原位表征。

性能指標(biāo)

透射電鏡指標(biāo)：

● 兼容指*電鏡型號(hào)及極靴；

● 可選雙傾版本，雙傾電學(xué)測(cè)量樣品桿Y軸傾角±25°（同時(shí)受限于極靴間距）；

電學(xué)測(cè)量指標(biāo)：

● 包含一個(gè)電流電壓測(cè)試單元；

● 電流測(cè)量范圍：１ nA-30 mA，9個(gè)量程；

● 電流分辨率：優(yōu)于100 fA；

● 電壓輸出范圍：普通模式±10 V，高壓模式±150 V；

● 自動(dòng)電流-電壓（I-V）測(cè)量、電流-時(shí)間（I-t）測(cè)量，自動(dòng)保存。

掃描探針操縱指標(biāo)：

● 粗調(diào)范圍：XY方向2.5 mm，Z方向1.5 mm；

● 細(xì)調(diào)范圍：XY方向18 um，Z方向1.5 um；

● 細(xì)調(diào)分辨率：XY方向0.4 nm，Z方向0.04 nm。

光纖指標(biāo)：

● 多模光纖外徑250 um，保證電鏡系統(tǒng)真空指標(biāo)；

● 可選光纖探針、平頭光纖；

● 配備快速SMA接頭、FC接頭；

加熱指標(biāo)：

● 溫度范圍：室溫到1000 ℃；

● 溫度準(zhǔn)確度優(yōu)于 5% ；

● 溫度穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 ℃。

應(yīng)用場(chǎng)景

可通過(guò)簡(jiǎn)單更換MEMS芯片種類以及不同STM探針為樣品施加至多四種激勵(lì)，實(shí)現(xiàn)多種復(fù)雜的測(cè)試功能，完成以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)的研究。

（1）高溫拉伸/壓縮（加熱芯片+電學(xué)STM探針）；

（2）熱電子發(fā)射/場(chǎng)發(fā)射（加熱芯片+電學(xué)STM探針）；

（3）三端器件測(cè)量（電學(xué)芯片+電學(xué)STM探針）；

（4）電致發(fā)光現(xiàn)象研究（電學(xué)芯片+光學(xué)STM探針）；

（5）光電現(xiàn)象研究（電學(xué)芯片+光學(xué)STM探針）。

產(chǎn)品特色

穩(wěn)定性高

輕松獲得大幅度運(yùn)動(dòng)中的高分辨像，適用于更廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景和樣品體系。

很長(zhǎng)的壽命