關(guān)于在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用，我們通常集中在制造過程的后端封裝環(huán)節(jié)：Sensofar的產(chǎn)品可以用來表征關(guān)鍵尺寸，表征材料的粗糙度，以及進(jìn)行缺陷檢測(cè)等。

碳化硅基晶圓

由于其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性與特殊的電子傳輸特性，以碳化硅基晶圓為基礎(chǔ)的芯片在很多新興電子器件比如說5G通訊等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在制備碳化硅基集成電路時(shí)，通常采用的是化學(xué)氣相沉積技術(shù)。對(duì)其表面形貌的測(cè)量與表征對(duì)于了解其晶體生長(zhǎng)過程是否均勻很有必要。SensoVIEW可以通過ISO標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的各空間，高度，以及混合參數(shù)來表征材料的形貌。

蝕刻電路

在蝕刻工藝之后，通常需要評(píng)估所得特征的高度。SensoPRO 軟件中的 Step Height 插件通過檢測(cè)形貌中的兩個(gè)不同高度的平面來計(jì)算該臺(tái)階高度。無論分析的圖案如何，都可以立即識(shí)別出該臺(tái)階特征。 為了確保測(cè)量的最佳精度，該處使用了 干涉測(cè)量法。

3D 十字切口

衡量芯片分割的質(zhì)量通常有兩個(gè)主要參數(shù)來表征：高度，以確保底部沒有被損壞；寬度，這是衡量切割質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)。 Cross kerf 插件 不僅可以檢測(cè)十字并提取所需的參數(shù)，還可以調(diào)平表面以確保晶圓中的現(xiàn)有角度不會(huì)影響提取的數(shù)據(jù)。對(duì)于此應(yīng)用，這些分割特征的高縱橫比使得測(cè)量非常具有挑戰(zhàn)性，只有 Ai Focus Variation 才能合適的解決此應(yīng)用中存在的問題。

鈍化層孔

鈍化層上的孔決定了芯片與引線鍵合的通路。
孔插件 可以測(cè)量直徑從50微米到2毫米的孔，在此應(yīng)用中非常實(shí)用。

孔內(nèi)薄膜厚度

S neox 擴(kuò)展了 反射光譜儀的應(yīng)用，因?yàn)樗梢允褂玫椭?微米的光斑測(cè)量直徑非常小的孔上的薄膜厚度！

通過表面測(cè)量管控晶片翹曲

該晶圓經(jīng)過了不同的工序，其表面有不同的特征點(diǎn)。
紋理化工藝處理使得這些特征點(diǎn)表面非常粗糙，因此可以用 S wide來測(cè)量。
在高溫環(huán)境實(shí)施的外延生長(zhǎng)薄膜工藝使得晶圓有可能產(chǎn)生變形。 為了評(píng)估這一點(diǎn)，我們用SensoVIEW測(cè)量了特征結(jié)構(gòu)之間的距離，
看它們是否符合預(yù)期的長(zhǎng)度，由此來判斷晶圓是否有形變。